《半導(dǎo)體物理》部分

參考書目：

《半導(dǎo)體物理學(xué)》（第四版）劉恩科，國防工業(yè)出版社，2010年1月

一、 考試目的與要求

考察考生對半導(dǎo)體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎(chǔ)知識解決電子科學(xué)與技術(shù)相關(guān)問題的能力。要求考生對半導(dǎo)體物理的基本概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理中基本定律的推導(dǎo)、證明和應(yīng)用，并具有綜合運(yùn)用所學(xué)知識分析問題和解決問題的能力。

二、 試卷結(jié)構(gòu)（滿分75分）

題型比例：

1．名詞解釋     約20分

2．簡答題       約20分

3．計(jì)算題       約20分

4．分析論述題   約15分

三、考試內(nèi)容與要求

（一）半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)

考試內(nèi)容

半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)，能帶，半導(dǎo)體中的共有化運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，空穴，硅和鍺及III－V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。

考試要求

1．理解半導(dǎo)體的共有化運(yùn)動(dòng)、能帶、布里淵區(qū)、有效質(zhì)量的基本概念。

2．理解本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，理解空穴的概念。

3．理解硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)，掌握有效質(zhì)量的計(jì)算方法。

（二）半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級

考試內(nèi)容

半導(dǎo)硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級、點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)。

考試要求

1．理解替位式雜質(zhì)、間隙式雜質(zhì)、施主雜質(zhì)、施主能級、受主雜質(zhì)、受主能級的概念。

2．理解點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)的概念及機(jī)制。

（三）半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布

考試內(nèi)容

狀態(tài)密度，費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布，本征半導(dǎo)體的載流子濃度，雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布，簡并半導(dǎo)體。

考試要求

1．理解并熟練掌握狀態(tài)密度的概念和表示方法。

2．理解并熟練掌握費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布。

3．理解并熟練掌握本征半導(dǎo)體的載流子濃度的概念和表示方法。

4．理解并熟練掌握雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度的概念和表示方法。

5．理解并掌握一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布。

6．理解并熟練掌握簡并半導(dǎo)體的概念，簡并半導(dǎo)體的載流子濃度的表示方法，簡并化條件。了解禁帶變窄效應(yīng)。

（四）半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

考試內(nèi)容

載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，遷移率，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)電場下的效應(yīng)，熱載流子。

考試要求

1．理解遷移率的概念。并熟練掌握載流子的漂移運(yùn)動(dòng)。

2．理解并熟練掌握遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系。

3．了解強(qiáng)電場下的效應(yīng)和熱載流子的概念。

（五）非平衡載流子

考試內(nèi)容

非平衡載流子的注入與復(fù)合，非平衡載流子的壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級，復(fù)合理論，載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，連續(xù)性方程式。

考試要求

1．理解非平衡載流子的注入與復(fù)合、非平衡載流子的壽命、準(zhǔn)費(fèi)米能級的概念。

2．了解復(fù)合理論，理解直接復(fù)合、間接復(fù)合、表面復(fù)合、俄歇復(fù)合的概念。

3．理解并熟練掌握載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、漂移運(yùn)動(dòng)。

4．理解并熟練掌握連續(xù)性方程式。

（六）p-n結(jié)

考試內(nèi)容

p-n結(jié)及其能帶圖，p-n結(jié)電流電壓特性，p-n結(jié)電容，p-n結(jié)擊穿，p-n結(jié)隧道效應(yīng)。

考試要求

1．理解并掌握p-n結(jié)及其能帶圖。

2．理解并掌握p-n結(jié)電流電壓特性。

3．理解p-n結(jié)電容的概念、電容表達(dá)式。

4．理解雪崩擊穿、隧道擊穿、熱擊穿的概念。

5．了解p-n結(jié)隧道效應(yīng)。

（七）金屬和半導(dǎo)體的接觸

考試內(nèi)容

金屬半導(dǎo)體接觸及其能級圖，金屬半導(dǎo)體接觸整流理論。

考試要求

1．了解金屬半導(dǎo)體接觸及其能帶圖。

2．理解功函數(shù)、接觸電勢差的概念，包括公式、能帶示意圖。

（八）半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)

考試內(nèi)容

空間電荷層及表面勢，理想MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性，金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)差對MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響。

考試要求

1．理解表面電場效應(yīng)，空間電荷層及表面勢的概念。

2．理解并熟練掌握表面空間電荷層的電場、電勢和電容的關(guān)系。

3．理解并熟練掌握MIS結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性，并能靈活運(yùn)用。

《集成電路基礎(chǔ)》部分

參考書目：

《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第六版） 閆石，高等教育出版社，2016年4月

《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第五版） 童詩白，高等教育出版社，2015年7月

一、考試目的與要求

考察學(xué)生對數(shù)字電路和模擬電路基本概念、分析及設(shè)計(jì)方法的掌握程度和用基本方法分析設(shè)計(jì)常用的數(shù)字電路與典型的模擬電路結(jié)構(gòu)的能力。

二、試卷結(jié)構(gòu)（滿分75分）

題型比例：

1．簡答題       20分

2．計(jì)算題       25分

3．設(shè)計(jì)題       30分   

三、考試內(nèi)容與要求

（一）邏輯代數(shù)基礎(chǔ)

考試內(nèi)容

邏輯函數(shù)表示方法、邏輯函數(shù)化簡

考試要求

1．理解邏輯函數(shù)表示方法及不同表示形式之間相互轉(zhuǎn)換。

2．掌握邏輯函數(shù)卡諾圖化簡。

（二）組合邏輯電路

考試內(nèi)容

組合電路分析與設(shè)計(jì)、常用組合邏輯電路及其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

1．掌握組合邏輯電路分析與設(shè)計(jì)方法。

2．掌握常用組合邏輯電路功能與設(shè)計(jì)方法

（三）觸發(fā)器

考試內(nèi)容

SR鎖存器、不同觸發(fā)方式的觸發(fā)器、常見觸發(fā)器

考試要求

1．掌握電平、主從、邊沿觸發(fā)器的電路結(jié)構(gòu)。

2．掌握分析各種觸發(fā)器時(shí)序分析。

（四）時(shí)序邏輯電路

考試內(nèi)容

時(shí)序邏輯電路分析、時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)

考試要求

1．理解時(shí)序邏輯電路分析方法

2．掌握時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)方法

（五）基本放大電路

考試內(nèi)容

放大的概念及放大電路的性能指標(biāo)、單管共發(fā)射極放大電路設(shè)計(jì)與分析。

考試要求

1．了解放大的概念及放大電路的性能指標(biāo)。

2．掌握單管共發(fā)射極放大電路原理，并能進(jìn)行設(shè)計(jì)與分析。

（六）集成運(yùn)放

考試內(nèi)容

集成運(yùn)放的電路結(jié)構(gòu)、性能指標(biāo)估算

考試要求

1．掌握差分輸入級、偏置電路、輸出級典型電路結(jié)構(gòu)。

2．掌握一般運(yùn)算放大器性能指標(biāo)估算。

（七）直流電源

考試內(nèi)容

直流電源電路組成結(jié)構(gòu)、單相整流電路、濾波電路、硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路

考斯要求

1．了解直流電源電路結(jié)構(gòu)及性能指標(biāo)計(jì)算。

2．掌握單相整流電路、濾波電路、硅穩(wěn)壓電路的設(shè)計(jì)方法。